【慢到 PK 】iPhone 18 Pro 正式出貨後，科技頻道《HOMOLAB》最新實測發現，Apple iPhone 18 Pro / Pro Max 的 1TB / 2TB 版本疑因成本考量，採用了成本較低、密度較高的 QLC 快閃記憶體（NAND Flash）。這導致手機在長時間持續高負載寫入下，出現嚴重的「斷崖式」降速，最低寫入速度甚至跌破 1.1 MB/s，表現有如傳統慢速 SD 卡；反觀售價較低的 512GB 版本由於採用 TLC 快閃記憶體，效能表現相當理想。

根據《HOMOLAB》針對 iPhone 18 Pro Max 1TB 的測試影片，該機所使用的 NAND Flash 為日本 KIOXIA 的 QLC NAND 晶片。在初始 SLC 快取（Cache）階段，寫入速度能達到逾 3,000 MB/s 的水準；然而，一旦快取用罄進入過渡區域，平均速度便降至約 578 MB/s。

當儲存空間大約寫入了 30% 後，就會進入 QLC 原生寫入階段，平均速度僅約 79.4 MB/s，最低更降至 25.6 MB/s。當容量佔用達 60% 狀態時，隨著可用空間減少，動態 SLC 快取空間進一步被壓縮，平均寫入速度跌至 45 MB/s，極限最低速甚至僅有 1.1 MB/s。

相比之下，較平價的 512GB 機型因採用每單元儲存 3 位元資料的 TLC 快閃記憶體，在混合負載測試中，持續表現比 1TB 的 QLC 機型高出多達 38%，整體寫入穩定度顯著佔優。

目前，根據中國華強北維修師傅實測，Apple iPhone 18 Pro / Pro Max 512GB 版本應該是 100% 全 TLC NAND，1TB 則是 80% 至 90% 採用 QLC NAND，2TB 則幾乎是 100% 全 QLC NAND。

造成儲存效能上的差異，主要是源於 QLC 與 TLC 的架構差別。TLC（Triple-Level Cell）每個儲存單元容納 3 個位元資料，而 QLC（Quad-Level Cell）則容納 4 個位元。QLC 雖具備容量密度高、每單位成本低的優勢，適合大規模製造大容量儲存裝置，但其原生寫入延遲較高、耐用度（P/E 循環）較低，一旦缺乏快取演算法的最佳化緩衝，速度就會大幅衰退。